据DigiTimes援引韩国媒体报道称，韩国存储芯片大厂SK海力士正在推迟其在中国大连的第二座3D NAND Flash工厂的量产。
这一决定一方面为了应对存储市场需求下滑，另一方面则是由于去年10月美国出台的限制对华出口先进半导体制造设备，使得SK海力士设备采购受到了影响。
早在2020年10月20日，SK海力士就以90亿美元收购了包括Intel大连NAND闪存工厂在内的IntelNAND闪存业务。但是，Intel仍将继续保留其特有的傲腾业务。
2021年12月22日，在获得中国政府审批后，SK海力士正式完成了对于IntelNAND闪存业务的收购。
不过目前，Intel大连厂尚未完全交割。
根据约定预计，双方将在 2025年3月份最终交割时，SK 海力士将支付剩余的20亿美元从Intel收购其余相关资产，包括 NAND 闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及中国大连工厂的员工。
2022年5月16日，爱思开海力士·Intel DMTM半导体（大连）有限公司非易失性存储器项目在大连金普新区举行开工仪式。
该项目将建设一座新的晶圆工厂，从事非易失性存储器3D NAND Flash芯片产品的生产。这也正是此次报道中所指的SK海力士位于大连的第二座晶圆厂。
通常晶圆厂的基础设施建设需要1年左右的时间，然而，据知情人士透露，该晶圆厂的施工尚未进入收尾阶段，也并未与晶圆厂设备供应商就交付和安装进行讨论。
目前存储市场需求仍在下滑，铠侠、美光、三星等存储芯片大厂都相继宣布了减产计划。
SK海力士虽然未宣布减产，但也将今年的资本支出大幅缩减了50%。这也使得SK海力士有意放缓新的存储晶圆厂的量产步伐，以减少资本支出。
更为关键的原因则在于，去年10月，美国出台了对华半导体出口管制新规，限制了128层及以上3D NAND Flash、18nm半间距或更小的DRAM内存芯片所需的制造设备的对华出口，除非有美国商务部颁发的特殊许可证。
目前荷兰和日本也陆续跟进美国对华新规，宣布将推出对应的限制政策，这也使得更多相关设备的对华出口受到了限制。
目前128层3D NAND Flash是主流，但是头部的存储芯片厂商已经迈向了更高的堆叠层数。美光在去年就量产232层3D NAND Flash。
对于SK海力士来说，为了使晶圆厂具有长期竞争力，SK海力士就必须瞄准128层及以上3D NAND Flash制造。
虽然在2022年10月11日SK海力士取得了美国商务部给予的1年豁免期，可以不受限制的为其在大陆的晶圆厂采购需要的设备，但是SK海力士并未取得荷兰及日本政府的豁免。
而且由于一些关键的半导体设备交期超过了1年以上（比如ASML的主流的光刻机目前平均交期仍高达18个月），随着SK海力士的豁免期仅剩半年左右，SK海力士可能无法在豁免期结束前完成设备的搬入。
此外，来自应用材料（Applied Materials）、科磊（KLA）和泛林（Lam Research） 等公司的美国工程师现在被禁止在没有政府出口许可证的情况下向中国大陆的半导体设施提供服务，因此即使安装采购的工具也可能是个问题。
除非美国继续延长对SK海力士的豁免期，并向相关美系设备厂商的美籍技术人员提供豁免。如果这些都无法办到，不仅SK海力士在中国大陆扩产将受到影响，原有产线的维护与技术升级也将受到影响。
SK海力士首席营销官Kevin Noh在去年第三季度财报的电话会议上就曾表示，在美国新规之下，SK海力士中国无锡厂的运作将受许多限制，“无法不受影响”。
“作为应急计划，我们可能要考虑出售晶圆厂、出售设备或将设备转移到韩国。”Kevin Noh强调，“这是一个应急计划， 我们希望(继续)在不面对这种情况的情况下运营。”
SK海力士官方随后强调，“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复，本公司澄清并未研究过与此相关的具体计划。
对于1年豁免期到期后，能否继续获得美国的豁免，SK海力士发言人曾表示，“许可可能延长，也可能依个案审查”，“韩国及美国政府同意继续协商”。
值得注意的是，在今年2月底，美国商务部副部长艾伦·埃斯特维兹 (Alan Estevez)在美国战略与国际问题研究中心（CSIS）组织的“韩美经济安全论坛”上公开表示，在美国对华半导体出口管制新规出台之后，将禁止某些半导体技术进入中国大陆，虽然也会为在中国生大陆设厂的非中国大陆芯片制造商（三星、SK海力士等）设定配额，但将会对他们在中国大陆的发展设置上限。
当被要求进一步澄清时，埃斯特维兹说，会依据相关公司的NAND闪存芯片堆叠层数，选定“某个范围”作为上限。但是这个限制范围“也将取决于中国人在做什么”。
也就是说，未来可能将不会再有不受限制的“豁免”，而是会将三星、SK海力士在中国大陆的晶圆厂的生产能力限制在一定范围，可能会与美国新规的限制对齐。
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