据媒体爆料，苹果M3 Ultra新品会在今年年中登场，这颗芯片首次采用台积电N3E工艺节点。
据了解，已经上市的M3、M3 Pro和M3 Max等芯片采用台积电N3B工艺，A17 Pro也是N3B工艺。
而接下来要发布的M3 Ultra以及A18系列芯片都将会采用N3E工艺节点。
资料显示，台积电规划了多达五种3nm工艺，分别是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X，其中N3B是其首个3nm节点，已经量产，N3E是N3B的增强版，但从台积电已经披露的技术资料来看，栅极间距并不如N3B。
不仅如此，第一代3nm N3B成本高、良率低，只有70%-80%之间，这意味着芯片制造过程中有至少20%的产品存在缺陷，而N3E良率高、成本低，性能会略低于N3B。
业内人士指出，台积电N3B的良率和金属堆叠性能很差，基于这些原因，N3B不会成为台积电的主要节点，相比之下，N3E将使用更少的EUV光刻层，从25层缩减到21层，投产难度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶体管密度会降低。
总而言之，M3 Ultra将是苹果史上最强悍的3nm芯片，搭载M3 Ultra的第一款设备是苹果Mac Studio，新品也将会在今年年中登场，值得期待。
